http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2006/0126/intel.htm
Intel、45nmプロセスの153Mbit SRAMの製造に成功
～CPUへは2007年下半期に応用
65nm製品と比較して、トランジスタのスイッチング速度を2割向上させつつ、
漏れ電流は8割、トランジスタスイッチング電力は3割削減

何打寛大って技術力が段違いすぎる