４０ナノプロセス開発で三星電子は海外の競合社と２年近い技術格差をつけた。
同社はすでに昨年第３四半期から５０ナノプロセスでＤＲＡＭを生産しているが、
日本のエルピーダメモリは上半期中に同クラスの生産が可能になる。
米マイクロンも１段階遅れの６０ナノプロセスで堪えている。
世界２位のメモリーメーカー、ハイニックス半導体だけが昨年５月から５０ナノプロセスを運営している。